Young说上兴头了，他有点停不下来，想把他对半导体的理解和国产半导体可替代的发展跟程钢好好聊聊：

“接下来回到我们的主题，14 nm光刻机挑战是什么？”

“先谈FinFET，FinFET是加州大学伯克利分校著名教授，胡正明教授最先提出的3D MOSFET器件结构。”

“3D MOSFET通过立体的结构实现了超越前代平面晶体管的性能。11年 Intel率先将其商业化。但到了14 nm制程后， FinFET变得不再像以往可靠。”

“首先是逃不掉的量子效应，晶体管的电流很难提高了。甚至对于一些材料，电流会变低。对于芯片而言，电流意味着速度。”

“然后是漏电流，漏电流直接牵扯到功耗。在这么小的节点，FinFET也很难控制漏电。”

“最后是成本，按照摩尔定律，随着节点的减少，单个晶体管成本应该减少。”

“但到了14nm制程，繁杂的光刻流程，导致单个晶体管成本反而可能会上升。”

“中芯国际能搞定14nm制程，但是股价却迟迟上不去是为什么？”

“就是因为14nm制程太难了，中芯国际的良品率不够高，算是半完成。”

程钢点头道：“难怪中芯国际不再单独披露14nm和28nm工艺的营收占比情况，反而不断扩产28nm。”

Young对程钢的敏锐很满意：“即便在宣称14nm工艺量产后的这两年里，中芯国际还是把14nm和28nm的营收算在一起，现在甚至直接不公布营收占比情况了。”

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