沈靖又转过头去和吴博士小声交流着。

陈舟却把注意力转移到了实验装置上。

刚才，吴博士的话提醒了他。

在金刚石掺杂实验中，载流子浓度，会影响霍尔迁移率。

而霍尔迁移率便直接反应着金刚石中硼元素的掺杂程度。

此外，硼元素的掺杂，是通过向MPCVD法制备金刚石薄膜的反应室中加入硼源来实现金刚石的硼掺杂的。

硼源的话，一般会采用含硼的气体，像B2H6和B（CH3）3。

当硼的掺杂浓度较高时，制备的金刚石掺杂是包含了许多点缺陷、线缺陷和面缺陷的。

这些缺陷会捕获载流子，影响金刚石材料的霍尔迁移率，进而影响制备的硼掺杂金刚石。

“果然，无论是金刚石薄膜本身的制备，还是掺杂实验下的单晶金刚石的制备，都是矛盾的实验……”陈舟心里想到。

想了想，陈舟跟吴博士说了一声，便去n型掺杂实验那边了。

正如吴博士所说，n型掺杂比p型掺杂要难得多。

对于p型掺杂，还能参考这自然界的样本。

但是n型掺杂，只能不断摸索。

说起来，n型掺杂的磷元素，就是从氮元素、硫元素、锂元素这些，一步步摸索过来的。

磷的共价键半径是碳的1.4倍，能级位于导带底以下0.58MeV。

因为这些性质，磷在金刚石薄膜中可以形成浅能级，所以是实现金刚石n型掺杂的理想元素。

但是，n型磷掺杂金刚石的载流子迁移率仍然是远低于p型硼掺杂。

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